У Тайвані розробили флеш-пам'ять, що самовідновлюється

Дослідники запропонували піддати комірки короткостроковому сильному нагріванню (кілька мілісекунд при температурі 800 градусів). Дослідники стверджують, що після такої процедури кількість циклів перезапису чипів флеш-пам'яті MLC NAND зросте з 10 тисяч до ста мільйонів і більше.

"Нагрівачі" вирішили розташувати просто на схемі таким чином, щоб кожен із них охоплював лише невелику групу осередків. Вводити в дію "нагрівачі" планують по черзі. При цьому пристрій, в якому задіяна плата, - наприклад, смартфон, - має бути підключений до джерела живлення, але при цьому перебувати в неактивному стані.

ЧИТАЙТЕ ТАКОЖ: Samsung випустив надміцний телефон, якому й війна не страшна

Більш докладно розповісти про розробку дослідники з Macronix планують на конференції IEDM, що відбудеться в Сан-Франциско 10-12 грудня.

Флеш-пам'ять використовують в мобільних пристроях, SSD-дисках, USB-накопичувачах. Існують різні методи продовження терміну її служби. Один з них, що отримав назву "Wear levelling" ("Нівелювання зносу") забезпечує почергове використання всіх сегментів пам'яті замість постійної роботи з одними і тими ж осередками.

За матеріалами: IEEE Spectrum.